 |
| นวัตกรรมเปลี่ยนแบบโครงสร้างที่ก้าวล้ำในเรื่อง Scaling และเทคโนโลยี Wafer Bonding ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ ความหนาแน่น และความคุ้มค่าให้มากขึ้นอย่างก้าวกระโดด |
คีอ็อกเซีย คอร์ปอเรชั่น (Kioxia Corporation) และเวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ป (Western Digital Corp.) (NASDAQ: WDC) เดินหน้าตอกย้ำการสร้างสรรค์ด้านนวัตกรรมอย่างต่อเนื่อง และวันนี้ได้เปิดเผยรายละเอียดเกี่ยวกับเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบแฟลช 3 มิติ (3D flash memory) รุ่นใหม่ล่าสุด ที่ใช้เทคโนโลยีการขยายโครงสร้างพื้นฐานให้ใหญ่ขึ้น (Scaling) และเทคโนโลยีการติดแผ่นเวเฟอร์เข้าด้วยกัน (wafer bonding) ขั้นสูง ทำให้ 3D flash memory มีความจุ ประสิทธิภาพ และความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยมในราคาที่น่าสนใจ ซึ่งเหมาะอย่างยิ่งที่สำหรับรองรับความต้องการของข้อมูลที่เติบโตสูงขึ้นแบบทวีคูณในกลุ่มตลาดที่หลากหลาย
อัลเปอร์ อิกบาฮาร์ (Alper Ilkbahar) รองประธานอาวุโสฝ่ายเทคโนโลยีและกลยุทธ์ของ Western Digital กล่าวว่า “3D flash memory รุ่นใหม่แสดงให้เห็นถึงประโยชน์ของความร่วมมืออันแข็งแกร่งระหว่างเรากับ Kioxia และการผสมผสานความเป็นผู้นำด้านนวัตกรรมของเราทั้งสอง” และเสริมอีกว่า “เราสามารถผลิตเทคโนโลยีพื้นฐานนี้ได้ก่อนกำหนดเวลาและนำเสนอโซลูชันที่มีประสิทธิภาพสูงและประหยัดต้นทุน ด้วยการดำเนินการตามแผนงาน R&D ทั่วไปและการลงทุนในการทำ R&D อย่างต่อเนื่อง”
Kioxia และ Western Digital ลดต้นทุนด้วยการเพิ่มกระบวนการและสถาปัตยกรรมที่เป็นเอกลักษณ์หลายอย่างเข้าไป จึงทำให้สามารถขยายแบบด้านข้างได้อย่างต่อเนื่อง ความสมดุลระหว่างการขยายแบบแนวตั้งและด้านข้างนี้ทำให้สามารถเพิ่มความจุให้มากขึ้นบนแผ่นวงจรขนาดเล็กที่มีจำนวนชั้นน้อยลงในที่ใช้ต้นทุนน้อยที่สุด บริษัททั้งสองยังได้พัฒนาเทคโนโลยี CBA (CMOS direct Bonded to Array) ที่ก้าวล้ำ ซึ่งเวเฟอร์ชิปซีมอส (CMOS) และเวเฟอร์อาร์เรย์เซลล์แต่ละชิ้นผลิตแยกกันในสภาพที่เหมาะสมที่สุด จากนั้นจึงเชื่อมเข้าด้วยกันเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของบิตและเพิ่มประสิทธิภาพอินพุต/เอาต์พุต (I/O) ของแฟลช NAND ให้มากขึ้น
“การเปิดตัว BiCS FLASHTM รุ่นที่ 8 ซึ่งมีความหนาแน่นของบิตสูงที่สุดในอุตสาหกรรมประสบความสำเร็จ นั่นเพราะความร่วมมือด้านวิศวกรรมที่ไม่เหมือนใครของเรา” มาซากิ โมโมโดมิ (Masaki Momodomi) รองประธานเจ้าหน้าที่บริหารฝ่ายเทคโนโลยี (Chief Technology Officer: CTO) ของ Kioxia Corporation กล่าวว่า “ผมยินดีที่ Kioxia เริ่มจัดส่งตัวอย่างให้กับลูกค้าเฉพาะแล้ว ด้วยการใช้เทคโนโลยี CBA และนวัตกรรมการขยายขนาด เราได้พัฒนาพอร์ตโฟลิโอของเทคโนโลยี 3D flash memory สำหรับใช้ในแอปพลิเคชันที่เน้นข้อมูลหลากหลายประเภท เช่น สมาร์ทโฟน อุปกรณ์ IoT และดาต้าเซ็นเตอร์”
หน่วยความจำแฟลชแบบ 3 มิติ แบบ 218 เลเยอร์ ได้ประโยชน์จากการใช้เทคโนโลยี Triple-level cell (TLC) และ quad-level-cell (QLC) ขนาด 1TB ด้วยระนาบสี่ระนาบ และนำเสนอเทคโนโลยีนวัตกรรมใหม่ที่ย่อพื้นที่ด้านข้างเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของบิตได้มากกว่า 50 เปอร์เซ็นต์ แฟลช NAND ความเร็วสูงที่ส่ง I/O ที่มากกว่า 3.2Gb/s ซึ่งตอบสนองในการอ่านดีขึ้น 60 เปอร์เซ็นต์เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า เมื่อรวมกับการปรับปรุงประสิทธิภาพการเขียนและเวลาแฝงในการอ่าน 20 เปอร์เซ็นต์ จะช่วยเร่งประสิทธิภาพโดยรวมและความสามารถในการใช้งานสำหรับผู้ใช้
